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在高能脉冲光纤MOPA系统中，脉冲屏蔽对于减轻非线性效应和优化不同材料的加工具有重要意义。但主振荡器的半导体种子源的光谱特性限制了脉冲增益。通过合理设计光纤光栅(FBG)和适当的电流调制，拓宽了光纤耦合种子激光器的光谱范围，抑制了放大器链中发生的受激布里渊散射，控制了中心发射波长和带宽。在功率放大器中使用的标准掺铝硅酸钡掺铒光纤的饱和能和掺杂水平也很快限制了脉冲功率放大器的性能，即使是大的芯径也是如此。共掺磷大大提高了系统的饱和能，使系统的脉冲宽度更平滑，受激喇曼散射(SRS)明显降低。结果表明，该光纤从1060 nm到1090 nm的长发射波长进一步提高了脉冲增强能力，降低了SRS。磷的共掺杂使得掺镱量更高，而且无需光降解，这减少了放大过程中产生的非线性效应，同时提供了更多样的泵浦波长选择并提高了效率。

文献中描述的大量高功率连续光纤激光器使用大模区(LMA)双包层光纤。这些光纤具有大芯和低芯数值孔径(NA)，以限制支撑模式的数量，通常是在线圈下工作，以消除高阶模式。本论文描述了单模输出高功率激光或放大器结构中的多模(MM)高钠镱掺杂光纤。在多模掺光纤中，通过匹配光纤光栅(FBG)的基波模和光纤光栅(FBG)的LP 01模，并选择上限数值V，将LP 01的重叠限制在高阶模上，实现了多模光纤的有效单模放大。结果表明，在掺杂光纤中实现了可忽略的模耦合，保证了在不使用锥形管的情况下和在外部扰动下的稳定功率输出。通过使用单模光纤写入的光纤光栅，基本模式操作在任何时候都保持不变，不需要卷绕。经发现，与LMA纤维相比，这类光纤本身具有更强的光敏性和更易于拼接。利用这种结构，证明了一种有效的75W单模连续光纤激光器，并预测了该激光器的功率可达到千瓦级，与传统的低NA光纤相比，该设计更实用、更耐光变。

我们设计了一种高输出功率的双包层铒镱光纤放大器，该放大器在1.0m处无放大自发辐射(ASE)，采用准单模光纤。结果表明，在1.0 μm处，放大受激辐射(ASE)的降低是纤维设计与芯层温度效应的结合。利用1563 nm的种子信号和976 nm的反传播泵浦功率，实现了10W双包层ER-YB放大器，该放大器的核心或包层纤维直径为10/125 μm，在976 nm处具有35W的反传播泵浦功率，在1.0 μm处无明显的ASE产生，且具有M2

A single cladding ytterbium doped fibre amplifier pumped at 980 nm that exhibits negligible amount of photodarkening over a long period of time is demonstrated. The output power as a function of time decreased by a very small factor compared to standard single mode ytterbium fibres. To achieve this...

在两级EDFA中插入了13.4~34.7dB/m吸收系数的高掺杂EDF，以实现MSA兼容的封装。通过实验验证，设计了一种低噪声的20 dBm单抽运WDM波段EDFA。

建立了一种能准确预测高功率双包层铒镱光纤放大器性能的模型。实验验证了该模型在不同泵浦波长和光纤长度下的共传播和反传播结构。通过简单的放大实验，将镱调至铒的交叉弛豫速率，得到了模型预测与输出信号实验数据完全一致的结果。经测量，McCumber与镱的发射截面严重不符，通过对其参数的修正，预测出1.0μm处对镱自发辐射，该模型对于高功率单模放大器是有效的，在1556 nm的8mW的种子信号下，4W的输出功率放大器对该模型同样有效。输出的衍射受限于测量的M2参数为1.03，无需从芯直径为10μm、数值孔径为0.18的微多模光纤中选择任何模式。