作者：克利斯朵夫·拉芳得，让-弗朗索瓦·库拉得，简·卢克·德拉鲁丝碧，弗尔南多·思乐凡，菲利普·德·桑德罗
改进了砷硫(As-S)和砷硒(As-Se)光纤的制备工艺，提高了光纤在中红外区的透过率。As-S或As-Se光纤的典型衰减谱显示S-H、Se-H、O-H等杂质带，限制了其工作，增加了中红外的衰减损耗。改进了前驱体纯化方法和玻璃加工工艺，使杂质带减少到最低限度。对于ASS纤维，2.7mm左右的衰减为0.12dB/m，S-H浓度小于0.3ppm。对于As-Se光纤，6mm处的衰减最小值为0.2dB/m，Se-H浓度小于0.5ppm。改善了力学性能，这些性能通常受到如拉深条件或玻璃中含有的非均匀夹杂物等参数的影响。双坩埚法有高质量的包芯界面，提高了纤维强度。包裹体主要由碳和硅颗粒组成。这些杂质从最初的前驱体进入玻璃，并且通过与仪器材料的相互作用形成。通过工艺改进，使As-Se和As-S纤维的杂质颗粒最小化，抗拉强度分别达到0.32 GPa和0.41 GPa。